Samsung 850 Evo: SSD für Notebooks und Gaming-PCs vorgestellt

Die SSD Samsung 850 Evo kommt mit der Flashspeichertechnik 3D-V-NAND und steht ab Mitte Dezember in vier Speicherkapazitäten mit bis zu 1 TByte zum Verkauf. Das günstigste Modell bietet 120 GByte und kostet knapp 92 Euro.

Samsung hat mit der Serie 850 Evo neue SSDs vorgestellt, die besonders für den Einsatz in Notebooks und Gaming-PCs konzipiert sind. Sie nutzen wie die Anfang Juni angekündigte 850-Pro-Serie die Flashspeichertechnik “3D-V-NAND. Ab Mitte Dezember sollen die neuen SSDs von Samsung in vier verschiedenen Speichergrößen im Handel erhältlich sein.

Samsung 850 Evo (Bild: Samsung).

Die SSD Samsung 850 Evo kommt mit der Flashspeichertechnik 3D-V-NAND und steht ab Mitte Dezember in vier Speicherkapazitäten mit bis zu 1 TByte zum Verkauf. Das günstigste Modell bietet 120 GByte und kostet knapp 92 Euro (Bild: Samsung).

Die UVP der Samsung 850 Evo beträgt je nach Modell rund 92 Euro (120 GByte), 137 Euro (250 GByte), 247 Euro (500 GByte) und 457 Euro (1 TByte). Mit fünf Jahren fällt die Garantiezeit zwar zwei Jahre länger aus als bei der 840 Evo, aber nur halb so lang wie bei der 850 Pro. Die Vorgängerreihe 840 Evo ist inzwischen deutlich günstiger zu haben. Online liegen die Preisen zwischen 67 Euro für 120 GByte und 350 Euro für 1 TByte.

Im Gegensatz zu den MLC-Modulen (Multi Level Cell) der 850-Pro-Reihe speichern die TLC-Module (Triple Level Cell) der 850-Evo-Modelle in jeder Zelle nicht nur zwei, sondern drei Bit. Dadurch sind sie zwar nicht ganz so schnell und weniger haltbar, dafür aber günstiger als MLC-Speicher. Die Funktion “Turbo Write” sorgt bei Bedarf auch für eine Beschleunigung. Sie erlaubt es, die Zellen eines bestimmten Speicherbereichs nur mit einem statt der üblichen drei Bit zu beschreiben.

Die 2,5-Zoll-Laufwerke der 850-Evo-Reihe verwenden eine 6-GBit/s-SATA-Schnittstelle. Die sequentiellen Transferraten entsprechen denen der seit Juli 2013 verfügbaren Vorgängerserie 840 Evo. Beim Lesen erreichen die neuen Modelle laut Datenblatt weiterhin eine Geschwindigkeit von bis zu 540 MByte/s. Das Schreibtempo liegt unverändert bei maximal 520 MByte/s. Auch die Performance beim zufälligen Verarbeiten von 4-KByte-Datenblöcken hat sich nicht geändert. Für beide SSD-Reihen gibt Samsung hier bis zu 98.000 Ein-/Ausgabebefehle pro Sekunde (IOPS) beim Lesen und maximal 90.000 IOPS beim Schreiben an.

Über ihren gesamten Lebenszyklus hinweg sollen die beiden größten 850-Evo-SSDs 150 TByte Daten schreiben können (Total Bytes Written, TBW), ehe Speicherzellen auszufallen drohen. Das entspricht etwa einer täglichen Schreibleistung von 80 GByte über fünf Jahre. Die beiden kleineren Modelle schaffen die Hälfte, was aber immer noch für jeden Nutzer ausreichen sollte.

Die mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (Mean Time Between Failures, MTBF) ist mit 1,5 Millionen Stunden spezifiziert. Der Energieverbrauch im Ruhezustand (bei aktiviertem Device Sleep) beträgt laut Hersteller 4 Milliwatt beim 1-TByte-Modell und 2 Milliwatt bei den kleineren Varianten. Im Betrieb steigt er im Schnitt auf 4,4 respektive 3,7 Watt. Außerdem unterstützen die Laufwerke eine Hardware-Verschlüsselung über Microsoft eDrive und TCG/Opal 2.0 mit 256-Bit AES.

Im kommenden Jahr will Samsung auch Varianten der 850 Evo in den Formfaktoren M.2 und mSATA auf den Markt bringen.

[Mit Material von Björn Greif, ZDNet.de]

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Autor: Christian Schartel
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