Samsung startet Massenfertigung von 28-Nanometer-eMRAM

Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete sind Micro-Controller, das Internet der Dinge und künstliche Intelligenz. weiter

microSD Express: Mehr Performance für mobilen Speicher

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den SD-Express-Standard auf microSD-Karten. weiter

Samsung fertigt 1 TByte großen eUFS-Speicher für Smartphones

Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro Sekunde. Der Chip erlaubt zudem kontinuierliche Super-Zeitlupenaufnahmen mit 960 Bildern pro Sekunde. weiter

SSDs und microSD-Karten im Preisverfall

Crucial bietet mit der BX500 eine SSD mit 480 Kapazität für knapp 70 Euro Euro an. Und eine 400 GByte große microSD-Card wechselt für 88 Euro den Besitzer. weiter

Samsung kündigt 4-TByte-SSD mit QLC-NAND-Flash für Consumer an

Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von einem Terabit. Samsung will diese Chips auch für Speicherkarten und Enterprise-SSDs verwenden. weiter

Veeam und Pure Storage integrieren Lösungen

Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit dem Veeam Explorer für Storage Snapshots können auch einzelne Objekte oder komplette VMs aus den Pure Storage Snapshots hergestellt werden. weiter

Samsung steigert Jahresgewinn auf 42 Milliarden Euro

Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch im Dezemberquartal die Halbleitersparte mit einem Umsatzplus von 42 Prozent. weiter

Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 860 MByte pro Sekunde. Mit bis zu 42.000 IOPS sind die Chips zudem 400-mal leistungsfähiger als eine SD-Speicherkarte. weiter

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle Unterstützer sind Dell, Seagate und SK Hynix. Apple will für sich die fortlaufende Belieferung mit Flash-Speicher sichern, um nicht vom Rivalen Samsung abhängig zu werden. weiter

Toshiba kündigt Low-Power-NVMe-SSD BG3 an

Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und 512 GByte an. Die SSD ist als BGA-Modul oder austauschbar als M.2-2230-Modul erhältlich. weiter

Samsung startet Massenproduktion in neuer Fab

Im neuen Werk soll vor allem V-NAND-Flash-Speicher mit 64 Schichten vom Band laufen. Samsung Electronics reagiert auf die steigende weltweite Nachfrage nach Halbleiterchips und kündigt weitere Milliardeninvestitionen in Südkorea und China an. weiter

V-NAND mit 64 Schichten: Samsung beginnt Serienfertigung

Schon zum Jahresende will der koreanische Hersteller mehr als die Hälfte von NAND-Flash als neue V4-Generation produzieren. Der neue Speicher ist für Server, PC und Mobilgeräte vorgesehen. Samsung verspricht 30 Prozent mehr Energieeffizienz und um 20 Prozent zuverlässigere Zellen. weiter

NetApp setzt auf Toshiba-SSDs

Die SATA-SSD-Serie HK4 von Toshiba, die für Rechenzentrumsanwendungen optimiert ist, soll bei NetApp künftig in einer unverschlüsselten Version zum Einsatz kommen und das SolidFire All-Flash-Array-Portfolio erweitern. Der Einsatz soll dem Unternehmen den Zugang zu neuen Märkten und Anwendungen öffnen. weiter

SK Hynix kündigt 72-lagigen TLC-3D-NAND-Flash-Chip an

Die Kapazität pro Chip steigt damit auf 32 GByte. Samsung und Toshiba fertigen 3D NAND Flash derzeit mit 64 Lagen. SK Hynix verbessert zudem die Schreib- und Lesegeschwindigkeit seiner Chips um 20 Prozent. weiter

HPE aktualisiert Betriebssystem seiner 3PAR-Speicher

Die neue OS-Version 3.3.1 ist ab dem ersten Quartal erhältlich. HPE verspricht Verbesserungen in den Bereichen Deduplizierung, Migration von Workloads und Datensicherung. Kunden mit bestehenden Supportverträgen erhalten das Update kostenlos. weiter

Toshiba verkauft Teile seiner Flash-Speicher-Sparte

Sie soll zuerst in ein eigenständiges Unternehmen ausgelagert werden. Für bis zu 20 Prozent des neuen Unternehmens sucht Toshiba einen Käufer. Der Erlös soll Verluste der Kernenergie-Sparte Westinghouse ausgleichen. weiter

Intel stellt NVMe-SSD DC P3100 für Rechenzentren vor

Sie nutzt Intels 3D-NAND-TLC-Flash. Das Unternehmen bietet die im unteren Preissegment angesiedelte SSD mit Kapazitäten von bis zu einem Terabyte an. Einsatzgebiete sind Boot-Laufwerke, Web Hosting und Search Indexing. weiter